Come calcolare lo swing sottosoglia?

Come calcolare lo swing sottosoglia?
Come calcolare lo swing sottosoglia?
Anonim

L'espressione generale per pendenza sottosoglia pendenza sottosoglia La pendenza sottosoglia è una caratteristica della caratteristica corrente-tensione di un MOSFET. Nella regione sottosoglia, il comportamento della corrente di drenaggio, sebbene sia controllato dal terminale di gate, è simile alla corrente in diminuzione esponenzialmente di un diodo polarizzato in avanti. https://en.wikipedia.org › wiki › Subthreshold_slope

Pista sottosoglia - Wikipedia

(swing) è S=(d(log10Ids)/dVgs)-1. Oppure dal grafico sopra, a Vgs molto basso, prendi la derivata dei valori logaritmici di Ids rispetto a Vgs e poi inverti il valore risultante.

Cosa si intende per oscillazione sottosoglia?

Lo swing sottosoglia è definito come la tensione di gate richiesta . per modificare la corrente di drenaggio di un ordine di grandezza, uno . decennio. Nel MOSFET, l'oscillazione sottosoglia è limitata. a (kT/q) ln10 o 60 mV/dec a temperatura ambiente e con.

Cos'è il fattore di pendenza sottosoglia?

La pendenza della sottosoglia è una caratteristica della caratteristica corrente-tensione di a MOSFET . … Un dec (decennio) corrisponde a un aumento di 10 volte della corrente di drain ID. Un dispositivo caratterizzato da una forte pendenza della sottosoglia mostra una transizione più rapida tra gli stati off (bassa corrente) e on (alta corrente).

Qual è l'importanza dello swing sottosoglia?

Lo swing sottosoglia è un parametro importante inmodellazione del regime di inversione debole, in particolare per applicazioni analogiche ad alto guadagno, circuiti di imaging e applicazioni a bassa tensione.

Come varia la corrente sottosoglia con la tensione del gate?

Questa riduzione significa una minore oscillazione della tensione di gate al di sotto della soglia per spegnere il dispositivo, e poiché la conduzione sottosoglia varia in modo esponenziale con la tensione di gate (vedi MOSFET: modalità di interruzione), diventa sempre più significativa man mano che i MOSFET si riduconoin taglia.

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